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捷佳偉創(chuàng)射頻微晶P高速率高晶化率鍍膜工藝再獲突破
發(fā)布時間：2023-08-03 08:55:49 文章來源：KE科日光伏網(wǎng)
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(資料圖)

近日，捷佳偉創(chuàng)常州HJT中試線成功研發(fā)出具有行業(yè)先進水平的射頻(RF)微晶P工藝，微晶P薄膜沉積速率超過2埃/秒，同時晶化率穩(wěn)定在50%以上。常州中試線制備的基于雙面微晶12BB異質(zhì)結(jié)電池平均效率達到25.1%（德國ISFH標準），良率在98%以上。

射頻微晶P的高速高質(zhì)量沉積，一直是困擾異質(zhì)結(jié)大產(chǎn)能板式PECVD的技術(shù)難點，通過本次技術(shù)突破，捷佳偉創(chuàng)的大產(chǎn)能射頻板式PECVD預(yù)計將比市面上主流設(shè)備減少1-2個微晶P腔體。射頻微晶P設(shè)備工藝均勻性達到6%以內(nèi)，穩(wěn)定性和重復性均在中試線量產(chǎn)設(shè)備上得到充分驗證，達到了行業(yè)先進技術(shù)水平。

此次射頻微晶P高速率高晶化率工藝取得突破，進一步增強了公司在HJT設(shè)備領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢。捷佳偉創(chuàng)始終堅持實干與創(chuàng)新為一體，堅持“逢山開路，遇河架橋”的創(chuàng)新精神，積極改革設(shè)備技術(shù)、持續(xù)擴大研發(fā)范圍，為光伏行業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展注入源動能。

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