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7月28日，中銀證券（601696）發(fā)布一篇電子行業(yè)的研究報(bào)告，報(bào)告指出，三星DRAM超預(yù)期出貨，庫(kù)存水位峰值已過(guò)。

報(bào)告具體內(nèi)容如下：

事件：北京時(shí)間2023年7月27日9：00，三星電子發(fā)布FY2023Q2（對(duì)應(yīng)自然年2023年4月-6月）財(cái)報(bào)，公司認(rèn)為目前存儲(chǔ)庫(kù)存已于5月見(jiàn)頂，ASP下降中高個(gè)位數(shù)，價(jià)格下跌趨緩，同時(shí)AI推動(dòng)DDR5、HBM等高端產(chǎn)品需求提升，為公司帶來(lái)盈利空間。 核心要點(diǎn) AI拉動(dòng)DDR5、HBM等產(chǎn)品需求驅(qū)使三星DRAM出貨量超預(yù)期，三星NAND價(jià)格趨穩(wěn)。公司Q2營(yíng)收60.01萬(wàn)億韓元（QoQ-6%/YoY-22%），同環(huán)比均有下跌。營(yíng)業(yè)利潤(rùn)6700億韓元（QoQ+5%），凈利潤(rùn)1.72萬(wàn)億韓元(QoQ+10%)，環(huán)比上升明顯。DS部門收入14.73萬(wàn)億韓元（QoQ+7%/YoY-48%），而內(nèi)存芯片收入8.97萬(wàn)億韓元（QoQ+1%/YoY-57%）。公司在Q2滿足了HBM和DDR5等以AI為中心的產(chǎn)品的強(qiáng)勁需求，DRAM出貨量高于預(yù)期，同時(shí)擴(kuò)大了NAND先進(jìn)節(jié)點(diǎn)份額，令NAND的ASP下降趨緩，最終公司實(shí)現(xiàn)盈利的連續(xù)增長(zhǎng)。 客戶端去庫(kù)存進(jìn)度如預(yù)期進(jìn)行，三星庫(kù)存已于5月見(jiàn)頂，并預(yù)計(jì)全年將保持減產(chǎn)節(jié)奏。分終端來(lái)看，PC、mobile等客戶去庫(kù)存進(jìn)度取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展；服務(wù)器方面，客戶的庫(kù)存調(diào)整的相對(duì)較晚，但亦將在下半年逐漸恢復(fù)正常。此外，三星的DRAM、NAND庫(kù)存水位已在5月份見(jiàn)頂；供給方面，三星維持自Q1減產(chǎn)以來(lái)的收緊態(tài)勢(shì)，同時(shí)也計(jì)劃2023下半年依然保持下調(diào)產(chǎn)量的節(jié)奏，從而進(jìn)一步加快庫(kù)存的正常化。為提升高密度/高附加值的產(chǎn)品份額，公司正在對(duì)DRAM、NAND的某些產(chǎn)品進(jìn)行額外結(jié)構(gòu)性調(diào)整。 加緊HBM開(kāi)拓，長(zhǎng)遠(yuǎn)布局先進(jìn)存儲(chǔ)賽道。對(duì)于HBM3，三星目前正接受行業(yè)頂級(jí)性能和容量的客戶的資格認(rèn)證，并已向關(guān)鍵的AISOC公司和云公司出貨8層16GB和12層24GB的產(chǎn)品；對(duì)于HBM3P，三星計(jì)劃在23下半年推出24GB容量的產(chǎn)品；在供應(yīng)上，三星計(jì)劃2024年將HBM的產(chǎn)能至少提高一倍；同時(shí)，三星對(duì)先進(jìn)存儲(chǔ)亦進(jìn)行長(zhǎng)遠(yuǎn)布局，如解決數(shù)據(jù)中心AI所需的高密度產(chǎn)品（32GbDDR5）、存內(nèi)計(jì)算技術(shù)（CXL-PNM方案）、為終端AI設(shè)計(jì)的產(chǎn)品（LLM）等。 投資建議 NAND價(jià)格下跌趨緩，庫(kù)存已過(guò)最高點(diǎn)：三星FY23Q2價(jià)格：DRAM下降了中高個(gè)位數(shù)，而NAND受益于擴(kuò)大先進(jìn)節(jié)點(diǎn)來(lái)增強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力，在Q2下降中高個(gè)位數(shù)，價(jià)格逐漸趨于穩(wěn)定；三星庫(kù)存已在5月達(dá)峰，同時(shí)將全年貫徹減產(chǎn)策略來(lái)加快庫(kù)存的正常化。我們認(rèn)為，隨著下半年下游需求的復(fù)蘇，消費(fèi)電子傳統(tǒng)旺季的到來(lái)，服務(wù)器行業(yè)去庫(kù)存的執(zhí)行，存儲(chǔ)供需狀況有望進(jìn)一步回歸良性區(qū)間。 AI帶動(dòng)DDR5和HBM需求增長(zhǎng)，配套產(chǎn)業(yè)鏈加速升級(jí)：受益于AI服務(wù)器的銷量增長(zhǎng)，算力驅(qū)動(dòng)存力邏輯逐步實(shí)現(xiàn)，我們認(rèn)為在DDR5及HBM3的帶動(dòng)下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈有望逐步走出周期底部，高密度/高附加值產(chǎn)品將打開(kāi)更多市場(chǎng)空間，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈有望深度受益。 推薦：1）兆易創(chuàng)新（603986）：NORflash國(guó)內(nèi)市占率第一全球第三，DRAM打開(kāi)成長(zhǎng)空間；建議關(guān)注：1）華海誠(chéng)科：哈勃持股+GMC材料可用于HBM；2）聯(lián)瑞新材：量產(chǎn)配套供應(yīng)HBM所用球硅和Lowα球鋁。3）朗科科技（300042）：韶關(guān)國(guó)資委控股，深度受益數(shù)據(jù)中心招投標(biāo)。 風(fēng)險(xiǎn)提示 下游需求復(fù)蘇不及預(yù)期、產(chǎn)能削減效果不及預(yù)期、HBM產(chǎn)能緊張、DDR5滲透率不及預(yù)期、國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程不及預(yù)期。

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