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(資料圖片僅供參考)

3月19日消息，據(jù)廈門大學(xué)物理學(xué)系官方消息，近日，廈門大學(xué)成功實現(xiàn)了8英寸(200mm)碳化硅(SiC)同質(zhì)外延生長，成為國內(nèi)首家擁有并實現(xiàn)該項技術(shù)的機構(gòu)。

據(jù)介紹，作為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，碳化硅與硅相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率，其在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)出色?；谔蓟璧碾娏﹄娮悠骷褟V泛地應(yīng)用于航空航天、新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

當(dāng)前主流的碳化硅單晶與外延生長還處于6英寸階段，擴大尺寸成為產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的主要路徑，然而在邁向8英寸過程中還存在諸多技術(shù)難題。

廈門大學(xué)科研團隊負責(zé)人表示，通過克服了8英寸襯底應(yīng)力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問題，成功實現(xiàn)了基于國產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長。外延層厚度為12um，厚度不均勻性為2.3%；摻雜濃度為8.4×10cmˉ，摻雜濃度不均勻性＜7.5%；表面缺陷(Carrot、Triangle、Downfall、Scratch)密度＜0.5cmˉ。

上述科研團隊負責(zé)人表示，本次突破，標(biāo)志著我國已掌握8英寸碳化硅外延生長的相關(guān)技術(shù)。該技術(shù)的實現(xiàn)，是廈門大學(xué)與瀚天天成電子科技(廈門)有限公司等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，將為我國碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動力，同時推動新能源等相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。

查詢獲悉，廈門大學(xué)物理學(xué)科始創(chuàng)于1923年，是中國高校較早設(shè)立的物理學(xué)科之一，在中國物理學(xué)發(fā)展史上扮演了重要角色。廈大物理曾參與中國第一個五校聯(lián)合半導(dǎo)體專門化；研制出了中國第一塊導(dǎo)電玻璃、第一臺晶體管收音機、第一個磷化鎵平面發(fā)光二極管。